RAM tĩnh

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM hay RAM tĩnh) là một loại bộ nhớ sử dụng công nghệ bán dẫn. Từ "tĩnh" nghĩa là bộ nhớ vẫn lưu dữ liệu nếu có điện, không như RAM động cần được nạp lại thường xuyên. Không nên nhầm RAM tĩnh với bộ nhớ chỉ đọc và bộ nhớ flash vì RAM tĩnh chỉ lưu được dữ liệu khi có điện.

Thiết kế

Truy cập ngẫu nhiên nghĩa là bất kì một ô nhớ nào cũng đều có thể được đọc và ghi theo bất kì thứ tự nào.

Mỗi bit trong 1 thanh SRAM được chứa trong 4 transistor tạo thành 2 cặp chéo nhau. Ô chứa này có 2 trạng thái 0 và 1. Ngoài ra còn 2 transistor được sử dụng điều khiển quyền truy cập tới một ô nhớ trong quá trình đọc và ghi. Tổng cộng, cần 6 transistor để chứa 1 bit bộ nhớ.

Truy cập tới cell được kích hoạt bởi word line (WL ở trong hình) vốn điều khiển 2 transistor truy cập M₅ và M₆, và khi tới lượt, điều khiển cho tới mỗi cell sẽ được kết nối tới các đường bit: BL và BL. Đường bit được sử dụng để truyền dữ liệu cho cả hai tác vụ đọc và ghi. Mặc dù việc có cả hai đường bit là không bắt buộc, những hầu hết đều cung cấp cả hai để cải thiện biên nhiễu tín hiệu.

Kích thước của một bộ nhớ SRAM với m đường địa chỉ và n đường dữ liệu là 2^m từ, tức 2^m × n bit.

So sánh các loại bộ nhớ

Loại	Mất dữ liệu khi mất điện	Khả năng ghi	Cỡ xoá	Xoá nhiều lần	Tốc độ	Giá thành (theo byte)
SRAM	Có	Có	Byte	Không giới hạn	Nhanh	Đắt
DRAM	Có	Có	Byte	Không giới hạn	Vừa phải	Vừa phải
Masked ROM	Không	Không	Không sẵn sàng	Không sẵn sàng	Nhanh	Không đắt
PROM	Không	Một lần, yêu cầu thiết bị chuyên dụng	Không sẵn sàng	Không sẵn sàng	Nhanh	Vừa phải
EPROM	Không	Có, nhưng cần thiết bị chuyên dụng	Toàn bộ	Giới hạn	Nhanh	Vừa phải
EEPROM	Không	Có	Byte	Giới hạn	Nhanh cho đọc, chậm cho xoá và ghi	Đắt
Flash	Không	Có	Sector	Giới hạn	Nhanh cho đọc, chậm cho xoá/ghi	Vừa phải
NVRAM	Không	Có	Byte	Không giới hạn	Nhanh	Đắt

Xem thêm

Tham khảo

Bài viết này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn.