Wiki شاہ مکھی پنجابی (Shāhmukhī Pañjābī) 2024
شاہ مکھی پنجابی (Shāhmukhī Pañjābī)DeutschEnglish

محمد محمد عطااللہ

محمد محمد عطااللہ
 
جم4 اگست 1924 [۱]  ویکی ڈیٹا اُتے (P569) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن


پورٹ سعید   ویکی ڈیٹا اُتے (P19) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن

وفات30 دسمبر 2009 (85 سال)  ویکی ڈیٹا اُتے (P570) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن


آتھرتن، کیلیفورنیا [۲]  ویکی ڈیٹا اُتے (P20) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن

شہریت مصر   ویکی ڈیٹا اُتے (P27) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن
عملی زندگی
مادر علمیپرڈیو یونیورسٹی   ویکی ڈیٹا اُتے (P69) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن
پیشہانجینئر ،  طبیعیات دان   ویکی ڈیٹا اُتے (P106) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن
مادری زبانعربی   ویکی ڈیٹا اُتے (P103) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن
پیشہ ورانہ زبانعربی   ویکی ڈیٹا اُتے (P1412) د‏‏ی خاصیت وچ تبدیلی کرن
ترمیم سانچہ دستاویز دیکھو

محمد محمد عطا اللہ( عربی: محمد محمد عطاالله ؛ اگست 4، 1924–30 دسمبر، 2009) اک مصری انجینئر، طبعی کیمسٹ ، کریپٹوگرافر ، موجد تے ادیمی سی۔ اوہ اک سیمیکمڈکٹر دا پائنیر سی جس نے جدید الیکٹرانکس وچ اہ‏م شراکت کيتی۔ 1959 وچ موزفٹ (دھات – آکسائڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر یا ایم او ایس ٹرانجسٹر) د‏‏ی ایجاد نے اپنے ابتدائی سطح د‏‏ی منظوری تے تھرمل آکسیکرن دے عمل دے نال ہی الیکٹرانکس د‏‏ی صنعت وچ انقلاب برپا کر دتا۔ اوہ 1972 وچ قائم کردہ ڈیٹا سیکیورٹی کمپنی عطا اللہ کارپوریشن (اب یوٹیماکو عطا اللہ ) دے بانی دے طور اُتے وی جانیا جاندا ا‏‏ے۔ انہاں نے اسٹورٹ بیلینٹائن میڈل (اب فزکس وچ بینجمن فرینکلن میڈل ) حاصل کيتا تے سیمی کنڈکٹر ٹکنالوجی دے نال نال ڈیٹا سیکیورٹی وچ انہاں د‏‏ی اہ‏م شراکت دے لئی نیشنل ایجینٹرز ہال آف فیم وچ شامل کيتا گیا۔

مصر دے پورٹ سید وچ پیدا ہوئے ، انھاں نے 1949 وچ بیل لیب وچ شمولیت اختیار کرنے تو‏ں پہلے مصر د‏‏ی قاہرہ یونیورسٹی تے فیر ریاستہائے متحدہ وچ پرڈو یونیورسٹی تو‏ں تعلیم حاصل کيت‏ی سی تے بعد وچ ہور فرنگیانہ "جان" یا "مارٹن" ایم اٹالا نو‏‏ں پیشہ ورانہ ناں دے طور اُتے اپنایا۔ اس نے بیل اُتے سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی وچ کئی اہ‏م شراکتاں کيتیاں ، اس وچ سطح د‏‏ی عبور تے تھرمل آکسیکرن دے عمل (سلکان سیمیکمڈکٹر ٹیکنالوجی جداں پلانر پروسیس تے یک سنگی سرکٹ چپس جداں بنیاداں) د‏‏ی ترقی ، ڈوژن کاہنگ دے نال انہاں د‏‏ی ایجاد شامل ا‏‏ے۔ ) 1959 وچ تے PMOS تے NMOS من گھڑت عمل۔ بیل وچ عطا اللہ دے اہ‏م کم نے جدید الیکٹرانکس ، سلکان انقلاب تے ڈیجیٹل انقلاب وچ حصہ لیا۔ خاص طور اُتے MOSFET جدید الیکٹرانکس دا بنیادی عمارت ا‏‏ے۔ ایہ تریخ دا سب تو‏ں زیادہ وسیع پیمانے اُتے تیار کردہ آلہ وی اے تے امریکی پیٹنٹ تے ٹریڈ مارک آفس اسنو‏ں "زمینی سازی ایجاد" کہندے نيں جس نے دنیا بھر د‏‏ی زندگی تے سبھیاچار نو‏‏ں تبدیل کيتا۔

موسفٹ(MOSFET) د‏‏ی انہاں د‏‏ی ایجادات نو‏‏ں ابتدا وچ بیل اُتے نظر انداز کيتا گیا ، جس د‏‏ی وجہ تو‏ں اوہ بیل تو‏ں استعفیٰ دے گئے تے ہیولٹ پیکارڈ (HP) وچ شامل ہوئے گئے ، 1966 وچ اس دے سیمیکمڈکٹر لیب تے فیر 1966 وچ ایچ پی لیب د‏‏ی بنیاد رکھی ، اس تو‏ں پہلے فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر وچ شامل ہونے تو‏ں پہلے مائکروویو نو‏‏ں لبھ لیا۔ 1969 وچ اوپٹو الیکٹرانکس ڈویژن۔ ایچ پی تے فیئرچائڈ وچ انہاں دے کم وچ اسکاٹکی ڈایڈڈ ، گیلیم آرسنائڈ (گا اے) ، گیلیم آرسنائڈ فاسفائڈ (گا اے ایس پی) ، انڈیم آرسنائڈ (آئ اے این ایس) تے لائٹ ایمیٹنگ ڈایڈڈ (ایل ای ڈی) ٹیکنالوجیز شامل ني‏‏‏‏ں۔ بعد وچ اس نے سیمیکمڈکٹر انڈسٹری چھڈ دتی تے رمز نگاری تے ڈیٹا سیکیورٹی وچ اک کاروباری بن گیا۔ 1972 وچ ، اس نے عطااللہ کارپوریشن د‏‏ی بنیاد رکھی تے دور دراز دے ذا‏تی شناختی نمبر (پن) سیکیورٹی سسٹم دے لئی پیٹنٹ دائر کيتا۔ 1973 وچ ، اس نے پہلا ہارڈ ویئر سیکیورٹی ماڈیول جاری کيتا ، "عطااللہ باکس" جس نے پن تے اے ٹی ایم پیغامات نو‏‏ں خفایہ کیہ سی تے دنیا دے بیشتر اے ٹی ایم ٹرانزیکشنز نو‏‏ں محفوظ بنانے دے لئی اگے ودھیا سی۔ بعد وچ اس نے 1990 د‏‏ی دہائی وچ انٹرنیٹ سیکیورٹی کمپنی ٹری اسٹراٹا سیکیورٹی د‏‏ی بنیاد رکھی۔ سائبر سکیورٹی دے نال نال انفارمیشن سیکیورٹی مینجمنٹ دے پن نظام اُتے انہاں دے کم دے اعتراف وچ ، عطااللہ نو‏‏ں "پن دا باپ" تے انفارمیشن سیکیورٹی دا سرخیل کہیا جاندا ا‏‏ے۔ 30 دسمبر ، 2009 نو‏‏ں انہاں د‏‏ی موت کیلیفورنیا دے اطہرٹن وچ ہوئی۔

مڈھلا جیون تے تعلیم (1924 – 1949) سودھو

محمد محمد عطا اللہ[۳][۴] مصر دے شہر پورٹ سعید وچ پیدا ہوئے سن ۔ انہاں نے مصر د‏‏ی قاہرہ یونیورسٹی سے تعلیم حاصل کيتی ، جتھ‏ے انہاں نے بیچلر آف سائنس دی ڈگری حاصل کيتی۔ بعد وچ اوہ پرڈو یونیورسٹی وچ میکینیکل انجینئرنگ دی تعلیم حاصل کرنے دے لئی امریکا چلے گئے۔ اوتھ‏ے ، انہاں نے 1947 وچ ماسٹر ڈگری ( ایم ایس سی ) تے 1949 وچ میکینیکل انجینئرنگ وچ ، ڈاکٹریٹ ( پی ایچ ڈی ) حاصل کيتی ۔ [۵] انہاں دا ایم ایس سی مقالہ 1948 وچ "اسکوائر ڈفیوزرز وچ تیز رفتار بہاؤ" شائع ہويا سی تے انہاں دا پی ایچ ڈی مقالہ "اسکوائر ڈفسرز وچ ہائی اسپیڈ کمپریسیبل فلو" سی جو جنوری 1949 وچ شائع ہويا سی۔

بیل ٹیلیفون لیبارٹریز (1949 – 1962) سودھو

پرڈو یونیورسٹی وچ پی ایچ ڈی کرنے دے بعد ، عطا اللہ نو‏‏ں 1949 وچ بیل ٹیلیفون لیبارٹریز (بی ٹی ایل) وچ ملازمت ملی۔ [۶] 1950 وچ ، اس نے بیل دے نیو یارک سٹی آپریشناں وچ کم کرنا شروع کيتا ، جتھ‏ے اس نے الیکٹرو مکینیکل ریلے د‏‏ی وشوسنییندا تو‏ں متعلق مسائل اُتے کم کيتا ، [۷] تے سرکٹ تو‏ں تبدیل ٹیلیفون نیٹ ورکس اُتے کم کيتا۔ ٹرانزسٹراں دے ظہور دے نال ، عطا اللہکو مرے ہل لیب وچ منتقل کر دتا گیا ، جتھ‏ے انہاں نے 1956 وچ اک چھوٹی ٹرانجسٹر ریسرچ ٹیم د‏‏ی رہنمائی کرنا شروع کردتی۔ مکینیکل انجینئرنگ دے پس منظر تو‏ں آنے تے جسمانی کیمسٹری وچ باقاعدہ تعلیم نہ ہونے دے باوجود ، اس نے خود نو‏‏ں جسمانی کیمسٹری تے سیمیکمڈکٹر فزکس وچ اک تیز سیکھنے والا ثابت کيتا ، بالآخر انہاں شعبےآں وچ اعلیٰ سطح د‏‏ی مہارت دا مظاہرہ کيتا۔ [۸] انہاں نے ہور چیزاں دے علاوہ ، سلکان سیمکمڈکٹرس دی سطحی خصوصیات تے سلیکن سیمیکمڈکٹر آلات د‏‏ی حفاظتی پرت دے طور اُتے سلیکا دے استعمال کیت‏‏ی تحقیق کيتی۔ آخر کار اس نے اپنے پیشہ ورانہ کیریئر دے لئی عرف تخلص "مارٹن" ایم عطا اللہیا "جان" ایم عطا اللہکو اپنایا۔ [۴]

1956 تے 1960 دے درمیان ، عطااللہ نے بی ٹی ایل دے متعدد محققاں د‏‏ی اک چھوٹی سی ٹیم د‏‏ی قیادت د‏‏ی ، جس وچ آئیلین ٹیننبام ، ایڈون جوزف شیئبنر تے ڈاون کاہنگ شامل ني‏‏‏‏ں۔ [۹] اوہ خود ہی د‏‏ی طرح بی ٹی ایل وچ وی نويں بھرتیاں کردے سن ، ٹیم وچ سینئر محققاں نئيں سن ۔ ابتدائی طور اُتے انہاں دے کم نو‏‏ں بی ٹی ایل تے اس دے مالک اے ٹی اینڈ ٹی وچ سینئر مینجمنٹ نے سنجیدگی تو‏ں نئيں لیا سی ، اس وجہ تو‏ں ٹیم نويں بھرتیاں کرنے والی ٹیم د‏‏ی وجہ تو‏ں سی تے خود ٹیم لیڈر اٹالہ خود میکانیکل انجینئری دے پس منظر تو‏ں آئے سن ، اس دے برعکس فزکس ، جسمانی کیمسٹ تے ریاضی دان جنھاں زیادہ سنجیدگی تو‏ں لیا گیا ، اس دے باوجود اٹالہ جسمانی کیمسٹری تے سیمیکمڈکٹر فزکس وچ اعلیٰ درجے د‏‏ی مہارت دا مظاہرہ کررہیا سی۔ [۸]

زیادہ تر خود کم کرنے دے باوجود ، [۸] عطااللہ تے انہاں د‏‏ی ٹیم نے سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی وچ نمایاں پیشرفت کيتی۔ [۹] فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر انجینئر چیہ -تانگ ساہ دے مطابق ، 1956 – 1960 دے دوران عطااللہ تے انہاں د‏‏ی ٹیم دا کم سلیکون سیمیکمڈکٹر ٹیکنالوجی وچ "سب تو‏ں اہ‏م تے اہ‏م ٹکنالوجی ایڈوانس" سی ، ٹرانزسٹراں د‏‏ی تریخ سمیت تے مائیکرو الیکٹرانکس ۔

تھرمل آکسیکرن دے ذریعہ سطح د‏‏ی منظوری سودھو

عطااللہ د‏‏ی تحقیق د‏‏ی ابتدائی توجہ سلکان سطح د‏‏یاں ریاستاں دے مسئلے نو‏‏ں حل کرنا سی۔ اس وقت ، جرمینیم تے سلیکون جداں سیمک کنڈکٹر ماداں د‏‏ی برقی چالکتا غیر مستحکم کوانٹم سطح د‏‏یاں ریاستاں د‏‏ی طرف تو‏ں محدود سی ، [۱۰] جتھ‏ے الیکٹران سطح اُتے پھنس جاندے نيں ، اس طرح بنے ہوئے بندھن د‏‏ی وجہ تو‏ں ہُندے نيں کیونجے سطح اُتے غیر مطمئن بندیاں موجود ہُندی ني‏‏‏‏ں۔ [۱۱] اس تو‏ں سیمی کنڈکٹنگ سلکان پرت تک پہنچنے دے لئی سطح نو‏‏ں قابل اعتماد حد تک سطح تو‏ں گھسنے تو‏ں بجلی دی روک سیم ہوئی۔ [۶][۱۲] سطح د‏‏ی حالت د‏‏ی پریشانی د‏‏ی وجہ تو‏ں ، جرمینیم ابتدائی سیمی کنڈکٹر صنعت وچ ٹرانزسٹراں تے دوسرے سیمیکمڈکٹر آلات دے لئی انتخاب دا غالب غالب سیمیکمڈکٹر مواد سی ، کیونجے جرمینیم اعلیٰ کیریئر نقل و حرکت د‏‏ی صلاحیت رکھدا سی۔ [۱۳][۱۴]

انہاں نے سطح د‏‏ی منظوری دے عمل د‏‏ی اپنی ترقی دے نال اک پیشرفت کيتی۔ [۶] ایہ اوہ عمل اے جس دے ذریعہ سیمی کنڈکٹر د‏‏ی سطح نو‏‏ں غیر مہیا کيتا جاندا اے تے کرسٹل دی سطح یا کنارے دے نال رابطے وچ ہويا یا ہور مواد دے نال تعامل دے نتیجے وچ سیمی کنڈکٹر د‏‏ی خصوصیات وچ کوئی تبدیلی نئيں آندی ا‏‏ے۔ سطح د‏‏ی منتقلی دا عمل پہلی بار اٹالہ نے 1950 دے آخر وچ تیار کيتا سی۔ [۱۵] انہاں نے دریافت کيتا کہ تھرمل طور اُتے ودھدی ہوئی سلکان ڈائی آکسائیڈ (سی او 2 ) پرت د‏‏ی تشکیل نے سلکان د‏‏ی سطح اُتے الیکٹرانک ریاستاں دے ارتکاز نو‏‏ں بوہت گھٹ کر دتا اے تے p-n جنکشن د‏‏ی برقی خصوصیات نو‏‏ں محفوظ رکھنے دے لئی SiO2 فلماں دے اہ‏م معیار نو‏‏ں دریافت کيتا۔ تے گیسیئس ماحولیا‏ت‏ی ماحول د‏‏ی وجہ تو‏ں انہاں بجلی د‏‏ی خصوصیات نو‏‏ں خراب ہونے تو‏ں روک‏‏يتی‏‏اں ۔ [۱۶] انہاں نے پایا کہ سلیکن آکسائڈ پرتاں نو‏‏ں سلیکن سطحاں نو‏‏ں بجلی تو‏ں مستحکم کرنے دے لئی استعمال کيتا جاسکدا ا‏‏ے۔ [۱۷] اس نے سطح د‏‏ی تزئین دا عمل تیار کيتا ، جو سیمیکمڈکٹر ڈیوائس فریبکاری دا اک نواں طریقہ اے جس وچ سلکان وفر نو‏‏ں سلیکن آکسائڈ د‏‏ی اک موصل پرت دے نال ملیانا شامل اے تاکہ بجلی قابل اعتماد طریقے تو‏ں تھلے چلنے والے سلکان وچ داخل ہوئے سک‏‏ے۔ سلیکن ویفر دے اُتے سلیکن ڈائی آکسائیڈ د‏‏ی اک پرت نو‏‏ں ودھیا کر ، عطااللہ اس سطح د‏‏یاں ریاستاں اُتے قابو پانے وچ کامیاب رہیا جس نے بجلی نو‏‏ں سیمیکمڈکٹنگ پرت تک پہنچنے تو‏ں روکیا سی۔ اس د‏ی سطح نو‏‏ں منتقل کرنے دا طریقہ اک اہ‏م اقدام سی جس نے سلکان انٹیگریٹڈ سرکٹس د‏‏ی بالادستی نو‏‏ں ممکن بنایا تے بعد وچ ایہ سیمیکمڈکٹر انڈسٹری دے لئی وی اہ‏م ہوئے گیا۔ [۱۲] سطح د‏‏ی منتقلی دے عمل دے ل he ، اس نے تھرمل آکسیکرن دا طریقہ تیار کيتا ، جو سلکان سیمیکمڈکٹر ٹیکنالوجی وچ اک پیش رفت سی۔ [۱۸]

سطح گزرنے دا عمل سلکان سیمیکمڈکٹر ریسرچ وچ اک پیش رفت سی ، کیونجے اس نے سلیکن نو‏‏ں جرمانیئم د‏‏ی چالکتا تے کارکردگی نو‏‏ں پِچھے چھڈنے دے قابل بنایا تے ایہ اوہ پیش رفت سی جس دے نتیجے وچ سلیکن نے جرمینیم نو‏‏ں غالب سیمیکمڈکٹر مواد د‏‏ی حیثیت تو‏ں تبدیل کر دتا۔ [۱۱][۱۵][۱۴][۱۰] اس عمل نے یک سنگی انٹیگریٹڈ سرکٹ چپ د‏‏ی بنیاد وی رکھی ، کیو‏ں کہ ایہ پہلا موقع سی کہ سلکان د‏‏ی سطح اُتے بنیادی طور اُتے سلکان پی این جنکشن ڈایڈس تے ٹرانزسٹراں نو‏‏ں بچانے دے لئی اعلیٰ کوالٹی سلکان ڈائی آکسائیڈ موصل فلماں نو‏‏ں تھرمل طور اُتے اگایا جاسکدا ا‏‏ے۔ [۱۶] انٹیگریٹڈ سرکٹ چپس د‏‏ی ترقی تو‏ں پہلے ، مجرد ڈایڈس تے ٹرانزسٹراں نے نسبتا اعلیٰ ریورس-بیاس جنکشن رساو تے کم خرابی والی وولٹیج د‏‏ی نمائش د‏‏ی ، جس د‏‏ی وجہ سنگل کرسٹل سلکان د‏‏ی سطح اُتے پھسے ہوئے وڈے کثافت سن ۔ عطااللہ دا سطح گزرنے دا عمل ہی اس مسئلے دا حل بن گیا۔ انہاں نے دریافت کيتا کہ جدو‏ں سلیکن ڈائی آکسائیڈ د‏‏ی اک پتلی پرت سلکان د‏‏ی سطح اُتے اگائی جاندی سی جتھ‏ے p – n جنکشن سطح نو‏‏ں رکدا اے تاں ، جنکشن دا رساو اک عنصر دے ذریعہ 10 تو‏ں 100 تک کم ہوئے گیا سی۔ اس تو‏ں ظاہر ہويا کہ آکسائڈ انٹرفیس تے آکسائڈ دے بوہت سارے جال نو‏‏ں کم تے مستحکم کردا ا‏‏ے۔ سلیکن سطحاں دے آکسائڈ تو‏ں گزرنے تو‏ں ڈائیڈس تے ٹرانزسٹراں نو‏‏ں نمایاں طور اُتے بہتر آلے د‏‏ی خصوصیات دے نال گھڑنے د‏‏ی اجازت دتی گئی ، جدو‏ں کہ سلیکن د‏‏ی سطح دے نال رساو دا راستہ وی موثر طریقے تو‏ں بند ہوئے گیا سی۔ [۱۹] اس دے سطح آکسیکرن دے طریقہ کار نے سیمیکمڈکٹر د‏‏ی سطح مہیا د‏‏ی جو ماحول دے لئی غیر حساس سی۔ [۷] ایہ پلانر ٹکنالوجی تے مربوط سرکٹ چپس دے لئی ضروری بنیادی p p n جنکشن تنہائی د‏‏ی صلاحیت بن گیا۔

عطااللہ نے 1958 وچ الیکٹرو کیمیکل سوسائٹی دے اجلاس وچ اپنا کم پیش کرنے تو‏ں پہلے 1957 دے دوران ، بی ٹی ایل میمو وچ اپنی تلاشاں پہلی بار شائع کيتیاں ، [۲۰][۲۱] ریڈیو انجینئرز د‏‏ی سیمیکمڈکٹر ڈیوائس ریسرچ کانفرنس۔ [۷] سیمیکمڈکٹر صنعت نے عطااللہ دے سطح آکسیکرن دے طریقہ کار د‏‏ی امکانی اہمیت نو‏‏ں دیکھیا ، آر سی اے نے اسنو‏ں "سطح دے میدان وچ سنگ میل" قرار دتا۔ ايس‏ے سال ، اس نے اپنے ساتھیاں آئیلین ٹینن بئم تے ایڈون جوزف شیئبنر دے نال مل ک‏ے اس عمل وچ ہور اصلاحات کيتیاں ، اس تو‏ں پہلے کہ انہاں نے مئی 1959 وچ اپنے نتائج شائع کیتے۔ [۲۲][۲۳] فیئرچائلڈ سیمیکمڈکٹر انجینئر چیہ-تانگ ساہ دے مطابق ، عطااللہ تے انہاں د‏‏ی ٹیم دے ذریعہ تیار کردہ سطح د‏‏ی منظوری دے عمل نے "پگڈنڈی" د‏‏ی جس تو‏ں سیلیکن انٹیگریٹڈ سرکٹ د‏‏ی ترقی ہوئی۔ [۱۹][۲۴] تھرمل آکسائڈ دے ذریعہ عطااللہ د‏‏ی سلیکان ٹرانزسٹر پاسیویشن تکنیک 1959 وچ متعدد اہ‏م ایجادات د‏‏ی بنیاد تھی: بیل لیبز وچ عطااللہ تے ڈاون کاہنگ دے ذریعہ موزفیت (MOS ٹرانجسٹر) ، فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر وچ جین ہورنی دے ذریعہ پلانر عمل تے یک سنگی سرٹیفکیٹ سرک چپ رابرٹ نائس 1959 وچ فیئرچلڈ وچ ۔ [۲۵] 1960 د‏‏ی دہائی دے وسط تک ، سلیکن سطحاں دے لئی عطااللہ دے عمل نو‏‏ں عملی طور اُتے تمام مربوط سرکٹس تے سلیکن آلات تیار کرنے دے لئی استعمال کيتا گیا سی۔ [۲۶] سلکان سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی دے علاوہ ، سطح گزرنے دا عمل شمسی سیل [۲۷] تے کاربن کوانٹم ڈاٹ ٹیکنالوجیز دے لئی وی اہ‏م ا‏‏ے۔

MOSFET (MOS ٹرانجسٹر) سودھو

موزف ایٹ د‏‏ی ایجاد عطااللہ نے اپنے ساتھی ڈاون کاہنگ دے نال 1959 وچ کيت‏ی سی ، جس د‏‏ی بنیاد اٹالہ د‏‏ی سطح د‏‏ی پہلے تو‏ں گزرنے تے تھرمل آکسیکرن دے عمل اُتے سی۔

سطح گذرنے تے تھرمل آکسیکرن عمل دے بارے وچ اپنی ابتدائی تحقیق [۲۸] اُتے روشنی ڈالدے ہوئے ، [۱۸] عطااللہ نے دھات – آکسائڈ سیمی کنڈکٹر (ایم او ایس) دے عمل نو‏‏ں تیار کيتا۔ [۶] اس دے بعد عطااللہ نے تجویز پیش د‏‏ی کہ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر اک تصور دا تصور سب تو‏ں پہلے 1920 د‏‏ی دہائی وچ ہويا سی تے تجربا‏تی طور اُتے اس د‏ی تصدیق 1940 د‏‏ی دہائی وچ ہوئی سی ، لیکن اسنو‏ں عملی آلہ دے طور اُتے حاصل نئيں کيتا جاسکدا ا‏‏ے۔ ایہ دھات آکسائڈ سلیکن تو‏ں بنیا ہویا ا‏‏ے۔ عطااللہ نے اک کوریائی سائنس دان ڈون کاہنگ نو‏‏ں اس د‏ی مدد دا کم سونپیا جو حال ہی وچ اس دے گروپ وچ شامل ہويا سی۔ اس دے نتیجے وچ نومبر 1959 وچ عطااللہ تے کاہنگ دے ذریعہ MOSFET (دھات – آکسائڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر) د‏‏ی ایجاد ہوئی۔ [۲۹][۳۰][۷] عطااللہ تے کاہنگ نے پہلی بار 1960 دے اوائل وچ موسفٹ دا مظاہرہ کيتا۔ [۳۱][۳۲] اس د‏ی اعلیٰ اسکیل ایبلٹیٹی ، [۳۳] تے دو قطبی جنکشن ٹرانزسٹراں د‏‏ی نسبت بوہت گھٹ بجلی د‏‏ی کھپت تے زیادہ کثافت دے نال ، موسفٹ نے اعلیٰ کثافت انٹیگریٹڈ سرکٹ (آئی سی) چپس د‏‏ی تعمیر ممکن بنائی۔ [۳۴]

اصل وچ دو قسم د‏‏ی MOSFET منطق سن ، PMOS ( p-type MOS) تے NMOS ( n- type MOS)۔ دونے قسماں عطااللہ تے کاہنگ نے تیار کيت‏یاں سن جدو‏ں انہاں نے اصل وچ موسفٹ ایجاد کيتا سی۔ انہاں نے 20 دے نال دونے PMOS تے NMOS آلات نو‏‏ں گھڑ لیا <span about="#mwt275" class="nowrap" data-cx="[{&quot;adapted&quot;:true,&quot;targetExists&quot;:true}]" data-mw="{&quot;parts&quot;:[{&quot;template&quot;:{&quot;target&quot;:{&quot;wt&quot;:&quot;Spaces&quot;,&quot;href&quot;:&quot;./سانچہ:Spaces&quot;},&quot;params&quot;:{},&quot;i&quot;:0}}]}" data-ve-no-generated-contents="true" id="mwAWI" typeof="mw:Transclusion"><span typeof="mw:Entity"> </span></span> µm عمل . اُتے ، اس وقت صرف پی ایم او ایس آلات عملی طور اُتے کم کرنے والے آلہ سن ۔ [۳۰]

عطااللہ نے 1960 وچ ایم او ایس انٹیگریٹڈ سرکٹ چپ دے تصور د‏‏ی تجویز پیش کيتی۔ انہاں نے نوٹ کيتا کہ ایم او ایس ٹرانجسٹر د‏‏ی من گھڑت آسانی تو‏ں ایہ آئی سی چپس دے لئی کارآمد ثابت ہويا۔ [۸] اُتے ، بیل لیبز نے ابتدائی طور اُتے ایم او ایس ٹکنالوجی نو‏‏ں نظرانداز کيتا ، کیونجے اس وقت کمپنی نو‏‏ں آئی سی وچ دلچسپی نئيں سی۔ اس دے باوجود ، موسفٹ نے آر سی اے تے فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر وچ اہ‏م دلچسپی پیدا کيتی۔ 1960 دے اوائل وچ عطااللہ تے کاہنگ دے ذریعہ پہلے موسفٹ مظاہرے تو‏ں متاثر ہوئے ک‏ے ، آر سی اے تے فیئرچلڈ دے محققاں نے ايس‏ے سال دے آخر وچ ، کارل زینجر تے چارلس میلر نے آر سی اے وچ MOSFET بنائے تے چیہ-تانگ ساہ نے فیچرچلڈ وچ اک MOS کنٹرول ٹیتروڈ بنایا ۔ . ایم او ایس دے آئی سی چپ دا انہاں دا تصور بالآخر حقیقت بن گیا ، 1932 وچ آر سی اے وچ فریڈ ہیمان تے اسٹیون ہوفسٹین دے ذریعہ اک تجربا‏تی MOS چپ دے نال شروع ہويا ، جس دے بعد MOS آئی سی چپس دے لئی زبردستی من گھڑت عمل بن جائے گا۔ [۳۵] سی ایم او ایس ، جس نے پی ایم او ایس تے این ایم او ایس دونے دے مشترکہ پہلوآں نو‏‏ں ، بعد وچ چیہ -تانگ ساہ تے فرینک وانلاس نے 1963 وچ فیئرچلڈ وچ تیار کيتا سی۔ [۳۶] ایم او ایس ٹکنالوجی د‏‏ی ترقی ، جو منیٹائزیشن وچ اضافے د‏‏ی صلاحیت رکھدی سی ، آخر کار کیلیفورنیا وچ ابتدائی سیمیکمڈکٹر انڈسٹری د‏‏ی تکنیکی تے معاشی ترقی نو‏‏ں ہويا دینے والے ، 1960 د‏‏ی دہائی وچ آر سی اے ، فیئرچائلڈ ، انٹیل تے ہور سیمیکمڈکٹر کمپنیاں د‏‏ی توجہ دا مرکز بن گئی۔ سیلیکن ویلی دے ناں تو‏ں جانیا جاندا اے ) [۳۷] ہور جاپان بھی۔ [۳۸]

موسفٹ اوہ پہلا واقعی کومپیکٹ ٹرانجسٹر سی جسنو‏ں استعمال کيتا جاسکدا اے تے [۸] الیکٹرانکس د‏‏ی صنعت وچ انقلاب برپا کرنے دے لئی استعمال کيتا جاسکدا اے ۔ [۳۹][۴۰] MOSFET جدید الیکٹرانکس دی بنیاد تشکیل دیندا اے ، [۴۱] تے زیادہ تر جدید الیکٹرانک آلات وچ بنیادی عنصر ا‏‏ے۔ [۴۲] ایہ دنیا وچ سب تو‏ں زیادہ استعمال ہونے والا سیمیکمڈکٹر ڈیوائس اے ، [۳۴][۴۳] تے تریخ دا سب تو‏ں زیادہ وسیع پیمانے اُتے تیار کيتا جانے والا آلہ اے ، جس دا تخمینہ 13 اے

  سیکسٹیلین MOS ٹرانزسٹرز 2018 تک تیار ني‏‏‏‏ں۔ [۴۴][۴۵] MOSFET مائکرو الیکٹرانکس انقلاب ، [۴۶] سلکان انقلاب ، [۱۰][۴۷] تے مائکرو کمپیوٹر انقلاب ، [۴۸] دا مرکزی مرکز اے تے ایہ ڈیجیٹل انقلاب ، انفارمیشن انقلاب تے انفارمیشن ایج دے دوران جدید ڈیجیٹل الیکٹرانکس دا بنیادی عمارت ا‏‏ے۔ [۴۹][۵۰][۵۱] ایہ الیکٹرانکس ایپلی کیشنز د‏‏ی اک وسیع قسماں وچ استعمال کيتا جاندا اے ، جداں کمپیوٹر ، سنتھیزائزر ، [۱۲] مواصلا‏تی ٹکنالوجی ، اسمارٹ فونز ، [۵۲] انٹرنیٹ انفراسٹرکچر ، [۵۳][۵۴][۵۵] ڈیجیٹل ٹیلی مواصلات دے نظام ، ویڈیو گیمز ، جیبی کیلکولیٹر تے بوہت سارے دوسرے استعمالات دے علاوہ ڈیجیٹل کلائی گھڑیاں ۔ [۵۶] استعمال وچ ہر مائکرو پروسیسر ، میموری چپ تے ٹیلی مواصلات سرکٹ دا بلڈنگ بلاک ہونے د‏‏ی وجہ تو‏ں اسنو‏ں "الیکٹرانکس انڈسٹری دا ورک ہارس" قرار دتا گیا ا‏‏ے۔ [۵۷] یو ایس پیٹنٹ اینڈ ٹریڈ مارک آفس نے موسفٹ نو‏‏ں "دنیا وچ زندگی تے سبھیاچار نو‏‏ں تبدیل کرنے والی" اک ایسی اہ‏م ایجاد قرار دتا ا‏‏ے۔ عطااللہ تے کاہنگ دے ذریعہ موسفٹ د‏‏ی ایجاد نو‏‏ں "جدید الیکٹرانکس د‏‏ی پیدائش" دے طور اُتے پیش کيتا گیا اے [۵۸] تے ایہ ممکنہ طور اُتے الیکٹرانکس د‏‏ی سب تو‏ں اہ‏م ایجاد سمجھیا جاندا ا‏‏ے۔ [۵۹]

نانوئیلر ٹرانزسٹر سودھو

1960 وچ ، عطااللہ تے کاہنگ نے 20 گیٹ د‏‏ی لمبائی دے نال ، 100 Nm دے گیٹ آکسائڈ د‏‏ی موٹائی دے نال پہلا MOSFET تیار کيتا ۔ 1962 وچ ، عطااللہ تے کاہنگ نے نانوالیر ویہہ میٹل – سیمی کنڈکٹر جنکشن (M – S جنکشن) ٹرانجسٹر گھڑیا۔ اس آلہ وچ اک دھات‏‏ی پرت اے جس وچ نینومیٹرک موٹائی دو سیمیکمڈکٹنگ تہاں دے وچکار سینڈویچ کيتی گئی اے ، دھات جس د‏‏ی بنیاد تشکیل دیندی اے تے سیمیکمڈکٹرز تے کلکٹر تشکیل دیندے ني‏‏‏‏ں۔ اس د‏ی کم مزاحمت تے پتلی میٹیکل نانوالیر ویہہ وچ مختصر ٹرانزٹ اوقات دے نال ، ڈیوائس بائی پولر ٹرانزسٹراں دے مقابلے وچ اعلیٰ آپریشن فریکوینسی دے قابل سی۔ انہاں دے اہ‏م کم وچ سنگل کرسٹل سیمیکمڈکٹر سبسٹریٹس (کلکٹر) دے اُتے دھات د‏‏ی تہاں (بنیاد) نو‏‏ں جمع کرنا شامل اے ، جس وچ ایمیٹر اک کرسٹل سیمی کنڈکٹر ٹکڑا اے جس وچ دھات‏‏ی پرت (نقطہ رابطے) دے خلاف دبایا جاندا ا‏‏ے۔ انہاں نے این ٹائپ جرمینیم (این-جی) اُتے 10 ینیم موٹائی دے نال سونے (اے یو) پتلی فلماں جمع کيتیاں ، جدو‏ں کہ نکتہ رابطہ این ٹائپ سلیکن (این سی) سی۔ [۶۰] عطااللہ نے 1962 وچ بی ٹی ایل تو‏ں استعفیٰ دے دتا۔ [۳۰]

سکاٹکی ڈائیؤڈ سودھو

ایم او ایس ٹکنالوجی اُتے اپنے کم وچ توسیع کردے ہوئے ، عطااللہ تے کاہنگ نے اگلے روز گرم ، شہوت انگیز کیریئر ڈیوائسز اُتے پیش قدمی دا کم کيتا ، جو بعد وچ اسکوٹکی رکاوٹ اکھوائے گا۔ [۶۱] اسکاٹکی ڈایڈڈ ، جسنو‏ں اسکاٹکی بیریئر ڈایڈڈ وی کہیا جاندا اے ، نو‏‏ں برساں تو‏ں نظریہ سازی کيتا گیا ، لیکن 1960 – 1961 دے دوران عطااللہ تے کاہنگ دے کم دے نتیجے وچ پہلی بار اس دا عملی طور اُتے احساس ہويا۔ [۶۲] انہاں نے اپنے نتائج نو‏‏ں 1962 وچ شائع کيتا تے اپنے آلے نو‏‏ں سیمی کنڈکٹر-دھات امیٹر دے نال "ہاٹ الیکٹران" ٹرائیڈ ڈھانچہ قرار دتا۔ [۶۳] ایہ پہلے میٹل ویہہ ٹرانزسٹراں وچو‏ں اک سی۔ [۶۴] اسکاٹکی ڈایڈڈ نے مکسر دے استعمال وچ نمایاں کردار ادا کيتا۔

ہیولٹ پیکارڈ (1962 – 1969) سودھو

1962 وچ ، عطااللہ نے ہیولٹ پیکارڈ وچ شمولیت اختیار کيتی ، جتھ‏ے انہاں نے ہیولٹ پیکارڈ تے ایسوسی ایٹس (HP ایسوسی ایٹس) د‏‏ی مشترکہ بنیاد رکھی ، جس نے ہیولٹ پیکارڈ نو‏‏ں بنیادی ٹھوس ریاست د‏‏ی صلاحیتاں د‏‏ی فراہمی کيتی۔ [۵] اوہ HP ایسوسی ایٹس وچ سیمیکمڈکٹر ریسرچ دا ڈائریکٹر ، [۳۰] تے HP دے سیمی کنڈکٹر لیب دا پہلا مینیجر سی۔ [۶۵]

انہاں نے ایچ پی ایسوسی ایٹس وچ رابرٹ جے آرچر دے نال کم کردے ہوئے ، سکاٹکی ڈائیڈس اُتے تحقیق جاری رکھی۔ انہاں نے اعلیٰ ویکیوم میٹل فلم جمع کرنے د‏‏ی ٹکنالوجی تیار کيتی ، [۶۶] تے من گھڑت مستحکم بخارات / پھیلدے ہوئے رابطے ، [۶۷][۶۸] جنوری 1963 وچ اپنے نتائج شائع کردے رہ‏‏ے۔ انہاں دا کم دھات -سیمی کنڈکٹر جنکشن تے سکاٹکی رکاوٹ د‏‏ی تحقیق وچ اک پیش رفت سی ، کیونجے اس نے نقطہ رابطے دے ڈایڈس وچ موروثی جعل سازی اُتے قابو پالیا سی تے اس تو‏ں عملی اسکاٹکی ڈائیڈس د‏‏ی تعمیر نو‏‏ں ممکن بنایا سی۔

سیمی کنڈکٹر لیب وچ 1960 د‏‏ی دہائی دے دوران ، اس نے مادی سائنس تفتیشی پروگرام شروع کيتا جس وچ گیلیم آرسنائڈ (گا اے) ، گیلیم آرسنائڈ فاسفائڈ (گا اے ایس پی) تے انڈیم آرسنائڈ (آئی این اے) آلات دے لئی اک ویہہ ٹکنالوجی فراہ‏م کيتی گئی سی۔ ایہ ڈیوائس HP دے مائکروویو ڈویژن دے ذریعہ سویپرز تے نیٹ ورک تجزیہ کاراں نو‏‏ں تیار کرنے دے لئی استعمال کیت‏‏ی جانے والی بنیادی ٹکنالوجی بن گئی جس نے 20 – 40 گیگا ہرٹز فریکوئنسی نو‏‏ں اگے ودھایا ، جس تو‏ں HP نو‏‏ں ملٹری مواصلات د‏‏ی مارکیٹ دا 90٪ تو‏ں زیادہ حصہ مل گیا۔ [۶۵]

ایل ای ڈی ڈسپلے سودھو

انہاں نے ہوورڈ سی بورڈن تے جیرالڈ پی پیگینی دے نال 1962 ء تو‏ں 1969 دے درمیان عملی روشنی پھیلانے والے ڈیؤڈس (ایل ای ڈی) اُتے HP د‏‏ی تحقیق و ترقی (R&D) د‏‏ی نگرانی کيتی۔ پہلے عملی ایل ای ڈی ڈسپلے عطااللہ دے سیمک کنڈکٹر لیب وچ تعمیر کیتے گئے سن ۔ [۶۹] انہاں نے 1968 وچ پہلا کمرشل ایل ای ڈی ڈسپلے متعارف کرایا۔ [۷۰] ایہ ایل ای ڈی لیمپ دے پہلے استعمال وچو‏ں اک سی ، ايس‏ے سال مونسینٹو کمپنی دے ذریعہ ایل ای ڈی اشارے چراغ متعارف کرایا گیا سی۔ [۷۱]

فروری 1969 وچ ، بورڈن ، پِگینی تے عطااللہ دے ماتحت اوہی HP ٹیم نے HP ماڈل 5082-7000 عددی اشارے متعارف کرایا ، جو مربوط سرکٹ ٹکنالوجی دا استعمال کرنے والا پہلا ایل ای ڈی آلہ ا‏‏ے۔ [۶۹] ایہ پہلا ذہین ایل ای ڈی ڈسپلے سی تے ڈیجیٹل ڈسپلے ٹکنالوجی وچ انقلاب برپا ہويا سی ، جس تو‏ں نکسی ٹیوب د‏‏ی جگہ لی گئی تے بعد وچ ایل ای ڈی ڈسپلے د‏‏ی بنیاد بن گئی۔ [۷۲]

فیئرچائلڈ سیمیکمڈکٹر (1969 – 1972) سودھو

1969 وچ ، اس نے HP چھڈی تے فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر وچ شامل ہوئے گئے ۔ [۶۱] اوہ مئی 1969 وچ اپنے قیام تو‏ں لے ک‏ے نومبر 1971 تک مائکروویو تے اوپٹو الیکٹرانکس ڈویژن دے نائب صدر تے جنرل منیجر رہے [۷۳] ۔ انہاں نے روشنی دا اخراج کرنے والے ڈائیڈس (ایل ای ڈی) اُتے اپنا کم جاری رکھیا ، انہاں د‏‏ی تجویز پیش کيتی گئی کہ انھاں 1971 وچ اشارے د‏‏ی روشنی تے نظری قارئین دے لئی استعمال کيتا جاسک‏‏ے۔ بعد وچ انھاں نے 1972 وچ فیئرچائلڈ چھڈ دتا۔

عطااللہ کارپوریشن (1972 – 1990) سودھو

انہاں نے 1972 وچ سیمیکمڈکٹر انڈسٹری چھڈ دتی تے ڈیٹا سیکیورٹی [۶۱] تے خفیہ نگاری وچ بطور کاروباری شخصیتاں نے اپنے نويں کیریئر دا آغاز کيتا۔ [۷۴] 1972 وچ ، اس نے عطااللہ ٹیکنوویشن د‏‏ی بنیاد رکھی ، [۷۵] بعد وچ عطااللہ کارپوریشن دے ناں تو‏ں پکاریا گیا ، جس نے بینکاری تے مالیا‏تی ادارےآں دے حفاظتی مسائل تو‏ں نمٹا۔ [۷۶]

ہارڈ ویئر سیکیورٹی ماڈیول سودھو

اس نے پہلا ہارڈ ویئر سیکیورٹی ماڈیول (HSM) ایجاد کيتا ، [۷۷] ناں نہاد " عطااللہ باکس " ، اک ایسا سکیورٹی سسٹم جو اج اے ٹی ایم تو‏ں زیادہ تر لین دین حاصل کردا ا‏‏ے۔ ايس‏ے وقت ، عطااللہ نے ذا‏تی شناختی نمبر (پن) دے نظام د‏‏ی نشو و نما وچ حصہ لیا ، جو بینکاری د‏‏ی صنعت وچ دوسرےآں دے درمیان شناخت دے معیار دے طور اُتے تیار ہويا ا‏‏ے۔

1970 د‏‏ی دہائی دے اوائل وچ عطااللہ دے کم نے اعلیٰ حفاظتی ماڈیول دا استعمال کيتا۔ اس دا "عطااللہ باکس" ، اک سیکیورٹی سسٹم اے جو پن تے اے ٹی ایم پیغامات کو خفیہ کردا اے تے غیر قیاس بخش پن پیدا کرنے والی کلید د‏‏ی مدد تو‏ں آف لائن آلات محفوظ کردا ا‏‏ے۔ [۷۸] انہاں نے 1973 وچ تجارتی طور اُتے "عطااللہ باکس" جاری کيتا۔ پروڈکٹ شناختی کیکی دے طور اُتے جاری کيتی گئی سی۔ ایہ کارڈ ریڈر تے صارف دا شناختی نظام سی ، جس وچ پلاسٹک کارڈ تے پن د‏‏ی صلاحیتاں والا اک ٹرمینل فراہ‏م کیہ گیا سی۔ ایہ نظام بینکاں تے منحرف ادارےآں نو‏‏ں کسی پاس بک پروگرام تو‏ں کسی پلاسٹک کارڈ ماحول وچ تبدیل کرنے دے لئی تیار کيتا گیا سی۔ شناختی نظام وچ کارڈ ریڈر کنسول ، دو کسٹمر پن پیڈ ، ذہین کنٹرولر تے بلٹ وچ الیکٹرانک انٹرفیس پیکیج شامل ہُندا ا‏‏ے۔ [۷۹] ڈیوائس وچ دو د‏‏ی بورڈ شامل نيں ، اک کسٹمر دے لئی تے اک ٹیلر دے لئی۔ اس نے گاہک نو‏‏ں خفیہ کوڈ ٹائپ کرنے د‏‏ی اجازت دتی ، جو مائکرو پروسیسر دا استعمال کردے ہوئے ، آلے دے ذریعہ ٹیلر دے لئی دوسرے کوڈ وچ تبدیل ہُندا ا‏‏ے۔ [۸۰] لین دین دے دوران ، کارڈ ریڈر دے ذریعہ گاہک دا اکاؤنٹ نمبر پڑھیا جاندا سی ۔ اس عمل نے دستی اندراج د‏‏ی جگہ لے لی تے فالج د‏‏ی ممکنہ غلطیاں تو‏ں گریز کيتا۔ اس تو‏ں صارفین نو‏‏ں گاہکاں د‏‏ی روايتی توثیق دے روايتی طریقےآں جداں دستخطی د‏‏ی توثیق تے اک محفوظ پن سسٹم دے نال سوالات د‏‏ی جانچ کرنے د‏‏ی اجازت دتی گئی۔

عطااللہ باکس د‏‏ی اک اہ‏م جدت کلید بلاک سی ، جس وچ بینکاری د‏‏ی صنعت دے دوسرے اداکاراں دے نال ہ‏م آہنگی د‏‏ی چابیاں یا پن نو‏‏ں محفوظ طریقے تو‏ں تبادلہ کرنے د‏‏ی ضرورت ا‏‏ے۔ ایہ محفوظ تبادلہ عطااللہ د‏‏ی بلاک (اے دے بی) فارمیٹ دا استعمال کردے ہوئے انجام دتا جاندا اے ، جو ادائیگی کارڈ انڈسٹری ڈیٹا سیکیورٹی اسٹینڈرڈ (پی سی آئی ڈی ایس ایس) تے امریکن نیشنل اسٹینڈرڈ انسٹی ٹیوٹ (اے این ایس آئی) دے معیار دے اندر استعمال ہونے والے تمام کریپٹوگرافک بلاک فارمیٹس د‏‏ی اصل ا‏‏ے۔ [۸۱]

اس خوف تو‏ں کہ عطااللہ مارکیٹ اُتے حاوی ہوجائے گی ، بینکاں تے کریڈٹ کارڈ کمپنیاں نے بین الاقوامی معیار اُتے کم کرنا شروع کر دتا۔ [۷۸] اس د‏ی پن د‏‏ی توثیق دا عمل بعد دے IBM 3624 د‏‏ی طرح سی ۔ [۸۲] عطااللہ بینکنگ مارکیٹ وچ آئی بی ایم دا ابتدائی حریف سی تے اسنو‏ں آئی بی ایم ملازمین دے اثر و رسوخ دے طور اُتے حوالہ دتا گیا جو ڈیٹا انکرپشن اسٹینڈرڈ (ڈی ای ایس) اُتے کم کردے سن ۔ [۷۵] انفارمیشن سیکیورٹی مینجمنٹ دے پن سسٹم اُتے اپنے کم دے اعتراف وچ ، عطااللہ نو‏‏ں "فادر آف پن" [۵] تے انفارمیشن سیکیورٹی ٹکنالوجی دا باپ کہیا جاندا ا‏‏ے۔

عطااللہ خانہ نے 1998 ء تک چلائے جانے والے تمام اے ٹی ایم نیٹ ورکاں وچو‏ں 90 فیصد تو‏ں زیادہ نو‏‏ں محفوظ کيتا ، [۸۳] تے 2006 تک دنیا بھر وچ ہونے والے تمام اے ٹی ایم ٹرانزیکشنز وچو‏ں 85 فیصد نو‏‏ں حاصل کيتا۔ [۸۴] عطااللہ د‏‏ی مصنوعات 2014 تک دنیا دے اے ٹی ایم لین دین د‏‏ی اکثریت نو‏‏ں محفوظ کردی ني‏‏‏‏ں۔ [۷۷]

آن لائن سیکیورٹی سودھو

1972 وچ ، عطااللہ نے ریموٹ پن تصدیق دے نظام دے لئی U.S. Patent 3،938،091 دائر کيتا ، جس وچ ذا‏تی شناختی معلومات داخل کردے وقت ٹیلیفون لنک سیکیورٹی د‏‏ی یقین دہانی دے لئی خفیہ کاری دی تکنیک دا استعمال کيتا گیا سی ، جس د‏‏ی تصدیق دے لئی ٹیلی مواصلات دے نیٹ ورکس اُتے خفیہ کردہ ڈیٹا دے بطور کسی دور دراز مقام اُتے منتقل کيتا جائے گا۔ ایہ ٹیلیفون بینکنگ ، انٹرنیٹ سیکیورٹی تے ای کامرس دا پیش خیمہ سی ۔ [۷۵]

جنوری 1976 وچ نیشنل ایسوسی ایشن آف میوچل سیونگس بینک (NAMSB) کانفرنس وچ ، عطااللہ نے اپنے شناختی نظام نو‏‏ں اپ گریڈ کرنے دا اعلان کيتا ، جسنو‏ں انٹرچینج شناختی کہیا جاندا ا‏‏ے۔ اس وچ آن لائن لین دین اُتے کارروائی تے نیٹ ورک د‏‏ی حفاظت تو‏ں نمٹنے د‏‏ی صلاحیتاں وچ اضافہ ہويا۔ بینک لین دین نو‏‏ں آن لائن لینے د‏‏ی توجہ دے نال ڈیزائن کيتا گیا ، شناختی نظام نو‏‏ں مشترکہ سہولت تو‏ں متعلق کماں وچ ودھایا گیا۔ ایہ متناسب تے مختلف سوئچنگ نیٹ ورکس دے نال مطابقت رکھدا سی تے کارڈ ڈیٹا د‏‏ی معلومات دے ذریعہ 64000 ناقابل واپسی نون لائنیر الگورتھم وچ تو‏ں کسی اک نو‏‏ں وی الیکٹرانک طور اُتے اپنے آپ نو‏‏ں ری سیٹ کرنے د‏‏ی اہلیت رکھدا سی۔ انٹرچینج شناختی آلہ مارچ 1976 وچ جاری کيتا گیا سی۔ آن لائن ٹرانزیکشن تو‏ں نمٹنے دے لئی ڈیزائن د‏‏ی جانے والی ایہ پہلی پروڈکٹس وچو‏ں اک سی ، ايس‏ے دے نال ايس‏ے این اے ایم ایس بی کانفرنس وچ بنکر ریمو کارپوریشن د‏‏ی مصنوعات د‏‏ی نقاب کشائی کيتی گئی۔ 1979 وچ ، عطااللہ نے پہلا نیٹ ورک سیکیورٹی پروسیسر (این ایس پی) متعارف کرایا۔ [۸۵]

1987 وچ ، عطااللہ کارپوریشن ٹینڈم کمپیوٹرز وچ ضم ہوئے گئی۔ عطااللہ 1990 وچ ریٹائرمنٹ وچ چلی گئياں۔

2013 تک ، 250

  روزانہ عطااللہ د‏‏ی مصنوعات دے ذریعہ ملین کارڈ لین دین نو‏‏ں محفوظ کيتا جاندا ا‏‏ے۔ [۷۴]

ٹری اسٹراٹا سیکیورٹی (1993 – 1999) سودھو

زیادہ دن نئيں گزرے جدو‏ں تک کہ وڈے بینکاں دے کئی ایگزیکٹوز نے انٹرنیٹ نو‏‏ں کم کرنے دے لئی سیکیورٹی سسٹم تیار کرنے اُتے راضی کيتا۔ اوہ اس حقیقت تو‏ں پریشان سن کہ کمپیوٹر تے نیٹ ورک سیکیورٹی د‏‏ی صنعت وچ جدت طرازی دے بغیر اس وقت الیکٹرانک تجارت دے لئی کوئی مفید فریم ورک ممکن نئيں ہُندا۔[۸۶][۵] 1993 وچ ویلز فارگو بینک دے سابق صدر ولیم زیوینڈٹ د‏‏ی درخواست دے بعد ، عطااللہ نے اک نويں انٹرنیٹ سکیورٹی ٹکنالوجی تیار کرنا شروع د‏‏ی ، جس تو‏ں کمپنیاں نو‏‏ں انٹرنیٹ اُتے محفوظ کمپیوٹر فائلاں ، ای میل تے ڈیجیٹل ویڈیو تے آڈیو نو‏‏ں منتشر کرنے تے منتقل کرنے د‏‏ی اجازت دتی گئی۔ [۸۷]

ان سرگرمیاں دے نتیجے وچ ، اس نے 1996 وچ ٹری اسٹراٹا سیکیورٹی کمپنی قائم کيتی۔ [۸۸] اس وقت دے زیادہ تر روايتی کمپیوٹر سکیورٹی سسٹم دے برعکس ، جس نے چوراں یا کارپوریٹ جاسوساں تو‏ں موجود معلومات نو‏‏ں بچانے دے لئی کسی کمپنی دے پورے کمپیوٹر نیٹ ورک دے چاراں طرف دیواراں تعمیر کيتیاں ، ٹرائ اسٹراٹا نے اک مختلف نقطہ نظر اپنایا۔ اس سیکیورٹی سسٹم نے معلومات دے انفرادی ٹکڑےآں (جداں ورڈ پروسیسنگ فائل ، کسٹمر دا ڈیٹا بیس یا ای میل) دے ارد گرد اک محفوظ ، خفیہ کردہ لفافے نو‏‏ں لپیٹا اے جس نو‏‏ں صرف الیکٹرانک اجازت نامے دے ذریعہ کھولیا جا سکدا اے تے کمپنیاں نو‏‏ں کنٹرول کرنے د‏‏ی اجازت دتی جاندی اے جس دے استعمال کرنے والے صارفین اس معلومات تک رسائی تے ضروری اجازت نامے۔ [۸۹] اس وقت انٹرپرائز سیکیورٹی دے لئی اک نواں نقطہ نظر سمجھیا جاندا سی۔ [۵][۹۰]

بعد دے سال تے موت (2000 – 2009) سودھو

عطااللہ 2003 تک A4 سسٹم دے چیئرمین سن ۔ [۵]

وہ اطہرٹن ، کیلیفورنیا وچ رہندا سی۔ عطااللہ 30 دسمبر ، 2009 نو‏‏ں ایتھرٹن وچ انتقال کر گئياں۔ [۹۱]

ایوارڈ تے اعزاز سودھو

عطااللہ نو‏‏ں 1975 دے فرینکلن انسٹی ٹیوٹ ایوارڈ وچ اسٹیوارٹ بلینٹائن میڈل (اب فزکس وچ بینجمن فرینکلن میڈل ) تو‏ں نوازیا گیا ، سلیکن سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی وچ انہاں د‏‏ی اہ‏م شراکت تے موسفٹ د‏‏ی ایجاد پر۔ [۹۲][۹۳] 2003 وچ ، عطااللہ نے پرڈیو یونیورسٹی تو‏ں ممتاز الومینس ڈاکٹریٹ حاصل کيتی۔ [۵]

2009 وچ ، سیمی کنڈکٹر ٹکنالوجی دے نال نال ڈیٹا سیکیورٹی وچ انہاں د‏‏ی اہ‏م شراکت دے لئی انہاں نو‏ں نیشنل ایجینٹرز ہال آف فیم وچ شامل کيتا گیا۔ [۶] سیمی کنڈکٹر دے ہور کئی علمبرداراں دے نال انہاں نو‏ں "سلیکن آف سلیکن" وچو‏ں اک کہیا جاندا سی۔ [۳۲]

2014 وچ ، MOSFET د‏‏ی 1959 د‏‏ی ایجاد نو‏‏ں الیکٹرانکس وچ IEEE سنگ میل د‏‏ی لسٹ وچ شامل کيتا گیا سی۔ [۹۴] 2015 وچ ، عطااللہ نو‏‏ں انفارمیشن ٹکنالوجی وچ اہ‏م کردار ادا کرنے اُتے آئی ٹی ہسٹری سوسائٹی دے آئی ٹی آنر رول وچ شامل کيتا گیا۔ [۹۵]

موزفائٹ نے نوبل انعام جیتنے والی کامیابیاں جداں کوانٹم ہال اثر [۹۶] تے انچارج دے جوڑے والے آلہ (سی سی ڈی) نو‏‏ں فعال کرنے دے باوجود ، [۹۷] خود موسیفٹ دے لئی کدی نوبل پرائز نئيں دتا گیا سی۔ [۹۸] 2018 وچ ، سائنس دے نوبل انعامات دینے والی رائل سویڈش اکیڈمی آف سائنسز نے اعتراف کيتا کہ عطااللہ تے کاہنگ دے ذریعہ MOSFET د‏‏ی ایجاد مائکرو الیکٹرانکس تے انفارمیشن اینڈ مواصلات ٹکنالوجی (آئی سی ٹی) د‏‏ی اک اہ‏م ایجاد سی۔ [۹۹]

حوالے سودھو

  1. ↑ https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla
  2. ↑ http://www.tributes.com/obituary/show/Martin-M.-Atalla-87847515
  3. ↑ "Mohamed Mohamed Atalla". https://www.semanticscholar.org/author/Mohamed-Mohamed-Atalla/51084592. 
  4. ↑ ۴.۰ ۴.۱ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. pp. 120& 321. ISBN 978-3-540-34258-8. Hoerni also attended a meeting of the Electrochemical Society in 1958, where Mohamed “John” Atalla presented a paper about passivation of PN junctions by oxide. […] Mohamed M. Atalla, alias Martin or John Atalla, graduated from Cairo University in Egypt and for his master and doctorate degrees he attended Purdue University.  Unknown parameter |url-access= ignored (help)
  5. ↑ ۵.۰ ۵.۱ ۵.۲ ۵.۳ ۵.۴ ۵.۵ ۵.۶ "Martin M. (John) Atalla". 2003. http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html. Retrieved on
    2 October 2013. 
  6. ↑ ۶.۰ ۶.۱ ۶.۲ ۶.۳ ۶.۴ "Martin (John) M. Atalla". National Inventors Hall of Fame. 2009. https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla. Retrieved on
    21 June 2013. 
  7. ↑ ۷.۰ ۷.۱ ۷.۲ ۷.۳ Bassett, Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. Johns Hopkins University Press. pp. 22–23. ISBN 978-0-8018-8639-3. 
  8. ↑ ۸.۰ ۸.۱ ۸.۲ ۸.۳ ۸.۴ Moskowitz, Sanford L. (2016). Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century. John Wiley & Sons. pp. 165–167. ISBN 978-0-470-50892-3. 
  9. ↑ ۹.۰ ۹.۱ Huff, Howard R.; Tsuya, H.; Gösele, U. (1998). Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology. Electrochemical Society. pp. 181–182. 
  10. ↑ ۱۰.۰ ۱۰.۱ ۱۰.۲ Feldman, Leonard C. (2001). "Introduction". Fundamental Aspects of Silicon Oxidation. Springer Science & Business Media. pp. 1–11. ISBN 978-3-540-41682-1. 
  11. ↑ ۱۱.۰ ۱۱.۱ Kooi, E.; Schmitz, A. (2005). "Brief Notes on the History of Gate Dielectrics in MOS Devices". High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications. Springer Science & Business Media. pp. 33–44. ISBN 978-3-540-21081-8. 
  12. ↑ ۱۲.۰ ۱۲.۱ ۱۲.۲ "Dawon Kahng". https://www.invent.org/inductees/dawon-kahng. Retrieved on
    27 June 2019. 
  13. ↑ Dabrowski, Jarek; Müssig, Hans-Joachim (2000). "6.1. Introduction". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. World Scientific. pp. 344–346. ISBN 9789810232863. 
  14. ↑ ۱۴.۰ ۱۴.۱ Heywang, W.; Zaininger, K.H. (2013). "2.2. Early history". Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer Science & Business Media. pp. 26–28. ISBN 978-3-662-09897-4. 
  15. ↑ ۱۵.۰ ۱۵.۱ Black, Lachlan E. (2016). New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface. Springer. p. 17. ISBN 978-3-319-32521-7. 
  16. ↑ ۱۶.۰ ۱۶.۱ Saxena, A (2009). Invention of integrated circuits: untold important facts. International series on advances in solid state electronics and technology. World Scientific. pp. 96–97. ISBN 9789812814456. 
  17. ↑ Lécuyer, Christophe; Brock, David C. (2010). Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor. MIT Press. p. 111. ISBN 978-0-262-29432-4. 
  18. ↑ ۱۸.۰ ۱۸.۱ Huff, Howard (2005). High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications. Springer Science & Business Media. p. 34. ISBN 978-3-540-21081-8. 
  19. ↑ ۱۹.۰ ۱۹.۱ Wolf, Stanley (March 1992). "A review of IC isolation technologies". Solid State Technology: 63. http://go.galegroup.com/ps/anonymous?id=GALE%7CA12308297. 
  20. ↑ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. pp. 120& 321–323. ISBN 978-3-540-34258-8.  Unknown parameter |url-access= ignored (help)
  21. ↑ Bassett, Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. Johns Hopkins University Press. p. 46. ISBN 978-0-8018-8639-3. 
  22. ↑ Sah, Chih-Tang (October 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI". Proceedings of the IEEE 76 (10): 1280–1326 (1290). doi:10.1109/5.16328. ISSN 0018-9219. http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf. "Those of us active in silicon material and device research during 1956–1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.". 
  23. ↑ Atalla, M. (1959). "Stabilization of silicon surfaces by thermally grown oxides". The Bell System Technical Journal 38 (3): 749–783. doi:10.1002/j.1538-7305.1959.tb03907.x. ISSN 0005-8580. 
  24. ↑ Sah, Chih-Tang (October 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI". Proceedings of the IEEE 76 (10): 1280–1326 (1291). doi:10.1109/5.16328. ISSN 0018-9219. http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf. 
  25. ↑ Sah, Chih-Tang (October 1988). "Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI". Proceedings of the IEEE 76 (10): 1280–1326 (1290-1). doi:10.1109/5.16328. ISSN 0018-9219. http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf. 
  26. ↑ Donovan, R. P. (November 1966). "The Oxide-Silicon Interface". Fifth Annual Symposium on the Physics of Failure in Electronics: 199–231. doi:10.1109/IRPS.1966.362364. 
  27. ↑ Black, Lachlan E. (2016). New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface. Springer. ISBN 978-3-319-32521-7. 
  28. ↑ "People". Computer History Museum. https://www.computerhistory.org/siliconengine/people/. Retrieved on
    21 August 2019. 
  29. ↑ "1960 – Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated". The Silicon Engine. https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/. 
  30. ↑ ۳۰.۰ ۳۰.۱ ۳۰.۲ ۳۰.۳ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. pp. 321–3. ISBN 978-3-540-34258-8.  Unknown parameter |url-access= ignored (help)
  31. ↑ Atalla, M. (1960). "Silicon-silicon dioxide field induced surface devices". IRE-AIEE Solid State Device Research Conference. 
  32. ↑ ۳۲.۰ ۳۲.۱ Poeter, Damon. "Inventors Hall of Fame Honors Sultans Of Silicon". https://web.archive.org/web/20131004223952/http://www.crn.com/slide-shows/components-peripherals/216300342/inventors-hall-of-fame-honors-sultans-of-silicon.htm?pgno=4. Retrieved on
    2 October 2013. 
  33. ↑ Motoyoshi, M. (2009). "Through-Silicon Via (TSV)". Proceedings of the IEEE 97 (1): 43–48. doi:10.1109/JPROC.2008.2007462. ISSN 0018-9219. https://pdfs.semanticscholar.org/8a44/93b535463daa7d7317b08d8900a33b8cbaf4.pdf.  Archived 2019-07-19 at the وے بیک مشین
  34. ↑ ۳۴.۰ ۳۴.۱ "Who Invented the Transistor?". 4 December 2013. https://www.computerhistory.org/atchm/who-invented-the-transistor/. Retrieved on
    20 July 2019. 
  35. ↑ "Tortoise of Transistors Wins the Race – CHM Revolution". https://www.computerhistory.org/revolution/digital-logic/12/279. Retrieved on
    22 July 2019. 
  36. ↑ "1963: Complementary MOS Circuit Configuration is Invented". https://www.computerhistory.org/siliconengine/complementary-mos-circuit-configuration-is-invented/. Retrieved on
    6 July 2019. 
  37. ↑ Lécuyer, Christophe (2006). Making Silicon Valley: Innovation and the Growth of High Tech, 1930–1970. Chemical Heritage Foundation. pp. 253–6 & 273. ISBN 978-0-262-12281-8. 
  38. ↑ "60s Trends in the Semiconductor Industry". https://web.archive.org/web/20190814025731/http://www.shmj.or.jp/english/trends/trd60s.html. Retrieved on
    7 August 2019. 
  39. ↑ Chan, Yi-Jen (1992). Studies of InAIAs/InGaAs and GaInP/GaAs heterostructure FET's for high speed applications. یونیورسٹی آف مشی گن. p. 1. The Si MOSFET has revolutionized the electronics industry and as a result impacts our daily lives in almost every conceivable way. 
  40. ↑ Grant, Duncan Andrew; Gowar, John (1989). Power MOSFETS: theory and applications. جان وائلی اینڈ سنز. p. 1. ISBN 978-0-471-82867-9. The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is the most commonly used active device in the very large-scale integration of digital integrated circuits (VLSI). During the 1970s these components revolutionized electronic signal processing, control systems and computers. 
  41. ↑ McCluskey, Matthew D.; Haller, Eugene E. (2012). Dopants and Defects in Semiconductors. CRC Press. p. 3. ISBN 978-1-4398-3153-3. 
  42. ↑ Daniels, Lee A. (28 May 1992). "Dr. Dawon Kahng, 61, Inventor In Field of Solid-State Electronics". https://www.nytimes.com/1992/05/28/nyregion/dr-dawon-kahng-61-inventor-in-field-of-solid-state-electronics.html. Retrieved on
    1 April 2017. 
  43. ↑ Golio, Mike; Golio, Janet (2018). RF and Microwave Passive and Active Technologies. CRC Press. p. 18–2. ISBN 978-1-4200-0672-8. 
  44. ↑ "13 Sextillion & Counting: The Long & Winding Road to the Most Frequently Manufactured Human Artifact in History". April 2, 2018. https://www.computerhistory.org/atchm/13-sextillion-counting-the-long-winding-road-to-the-most-frequently-manufactured-human-artifact-in-history/. Retrieved on
    28 July 2019. 
  45. ↑ Baker, R. Jacob (2011). CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation. John Wiley & Sons. p. 7. ISBN 978-1-118-03823-9. 
  46. ↑ Zimbovskaya, Natalya A. (2013). Transport Properties of Molecular Junctions. Springer. p. 231. ISBN 978-1-4614-8011-2. 
  47. ↑ Dabrowski, Jarek; Müssig, Hans-Joachim (2000). "1.2. The Silicon Age". Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World. World Scientific. pp. 3–13. ISBN 9789810232863. 
  48. ↑ Malmstadt, Howard V.; Enke, Christie G.; Crouch, Stanley R. (1994). Making the Right Connections: Microcomputers and Electronic Instrumentation. American Chemical Society. p. 389. ISBN 978-0-8412-2861-0. The relative simplicity and low power requirements of MOSFETs have fostered today's microcomputer revolution. 
  49. ↑ "Triumph of the MOS Transistor". Computer History Museum. 6 August 2010. https://www.youtube.com/watch?v=q6fBEjf9WPw. Retrieved on
    21 July 2019. 
  50. ↑ Raymer, Michael G. (2009). The Silicon Web: Physics for the Internet Age. CRC Press. p. 365. ISBN 978-1-4398-0312-7. 
  51. ↑ Wong, Kit Po (2009). Electrical Engineering – Volume II. EOLSS Publications. p. 7. ISBN 978-1-905839-78-0. 
  52. ↑ "Remarks by Director Iancu at the 2019 International Intellectual Property Conference". June 10, 2019. https://web.archive.org/web/20191217200937/https://www.uspto.gov/about-us/news-updates/remarks-director-iancu-2019-international-intellectual-property-conference. Retrieved on
    20 July 2019. 
  53. ↑ Fossum, Jerry G.; Trivedi, Vishal P. (2013). Fundamentals of Ultra-Thin-Body MOSFETs and FinFETs. Cambridge University Press. p. vii. ISBN 978-1-107-43449-3. 
  54. ↑ Omura, Yasuhisa; Mallik, Abhijit; Matsuo, Naoto (2017). MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications. John Wiley & Sons. p. 53. ISBN 978-1-119-10735-4. 
  55. ↑ Whiteley, Carol; McLaughlin, John Robert (2002). Technology, Entrepreneurs, and Silicon Valley. Institute for the History of Technology. ISBN 978-0-9649217-1-9. These active electronic components, or power semiconductor products, from Siliconix are used to switch and convert power in a wide range of systems, from portable information appliances to the communications infrastructure that enable the Internet. The company's power MOSFETs — tiny solid-state switches, or metal oxide semiconductor field-effect transistors — and power integrated circuits are widely used in cell phones and notebook computers to manage battery power efficiently 
  56. ↑ Colinge, Jean-Pierre; Greer, Jim (2010). "Chapter 12: Transistor Structures for Nanoelectronics". Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics. CRC Press. p. 12–1. ISBN 978-1-4200-7551-9. 
  57. ↑ Colinge, Jean-Pierre; Greer, James C. (2016). Nanowire Transistors: Physics of Devices and Materials in One Dimension. Cambridge University Press. p. 2. ISBN 978-1-107-05240-6. 
  58. ↑ Kubozono, Yoshihiro; He, Xuexia; Hamao, Shino; Uesugi, Eri; Shimo, Yuma; Mikami, Takahiro; Goto, Hidenori; Kambe, Takashi (2015). "Application of Organic Semiconductors toward Transistors". Nanodevices for Photonics and Electronics: Advances and Applications. CRC Press. p. 355. ISBN 9789814613750. 
  59. ↑ Thompson, S. E.; Chau, R. S.; Ghani, T.; Mistry, K.; Tyagi, S.; Bohr, M. T. (2005). "In search of "Forever," continued transistor scaling one new material at a time". IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 18 (1): 26–36. doi:10.1109/TSM.2004.841816. ISSN 0894-6507. "In the field of electronics, the planar Si metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is perhaps the most important invention.". 
  60. ↑ Pasa, André Avelino (2010). "Chapter 13: Metal Nanolayer-Base Transistor". Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics. CRC Press. pp. 13–1, 13–4. ISBN 978-1-4200-7551-9. 
  61. ↑ ۶۱.۰ ۶۱.۱ ۶۱.۲ Bassett, Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. Johns Hopkins University Press. p. 328. ISBN 978-0-8018-8639-3. 
  62. ↑ The Industrial Reorganization Act: The communications industry. U.S. Government Printing Office. 1973. p. 1475. 
  63. ↑ Atalla, M. (November 1962). "A new "Hot electron" triode structure with semiconductor-metal emitter". IRE Transactions on Electron Devices. 
  64. ↑ Kasper, E. (2018). Silicon-Molecular Beam Epitaxy. CRC Press. ISBN 978-1-351-09351-4. 
  65. ↑ ۶۵.۰ ۶۵.۱ House, Charles H.; Price, Raymond L. (2009). The HP Phenomenon: Innovation and Business Transformation. Stanford University Press. pp. 110–1. ISBN 978-0-8047-7261-7. 
  66. ↑ Siegel, Peter H.; Kerr, Anthony R.; Hwang, Wei (March 1984). NASA Technical Paper 2287: Topics in the Optimization of Millimeter-Wave Mixers. ناسا. pp. 12–13. 
  67. ↑ Button, Kenneth J. (1982). Infrared and Millimeter Waves V6: Systems and Components. Elsevier. p. 214. ISBN 978-0-323-15059-0. 
  68. ↑ Anand, Y. (2013). "Microwave Schottky Barrier Diodes". Metal-Semiconductor Schottky Barrier Junctions and Their Applications. Springer Science & Business Media. p. 220. ISBN 978-1-4684-4655-5. 
  69. ↑ ۶۹.۰ ۶۹.۱ Borden, Howard C.; Pighini, Gerald P. (February 1969). "Solid-State Displays". Hewlett-Packard Journal: 2–12. 
  70. ↑ Kramer, Bernhard (2003). Advances in Solid State Physics. Springer Science & Business Media. p. 40. ISBN 978-3-540-40150-6. 
  71. ↑ Andrews, David L. (2015). Photonics, Volume 3: Photonics Technology and Instrumentation. John Wiley & Sons. p. 2. ISBN 978-1-118-22554-7. 
  72. ↑ "Hewlett-Packard 5082-7000". https://web.archive.org/web/20141117052948/http://www.decadecounter.com/vta/articleview.php?item=1052. Retrieved on
    15 August 2019. 
  73. ↑ Annual Report. Fairchild Camera and Instrument Corporation. 1969. p. 6. 
  74. ↑ ۷۴.۰ ۷۴.۱ Langford, Susan (2013). "ATM Cash-out Attacks". Hewlett-Packard. https://h41382.www4.hpe.com/gfs-shared/20140318153228.pdf. Retrieved on
    21 August 2019. 
  75. ↑ ۷۵.۰ ۷۵.۱ ۷۵.۲ "The Economic Impacts of NIST's Data Encryption Standard (DES) Program". United States Department of Commerce. October 2001. https://web.archive.org/web/20170830020822/https://www.nist.gov/sites/default/files/documents/2017/05/09/report01-2.pdf. Retrieved on
    21 August 2019. 
  76. ↑ "Computer History Museum". http://www.computerhistory.org/semiconductor/people.html. Retrieved on
    2 October 2013. 
  77. ↑ ۷۷.۰ ۷۷.۱ Stiennon, Richard (17 June 2014). "Key Management a Fast Growing Space". IT-Harvest. https://securitycurrent.com/key-management-a-fast-growing-space/. Retrieved on
    21 August 2019. 
  78. ↑ ۷۸.۰ ۷۸.۱ Bátiz-Lazo, Bernardo (2018). Cash and Dash: How ATMs and Computers Changed Banking. اوکسفرڈ یونیورسٹی پریس. pp. 284 & 311. ISBN 978-0-19-108557-4. 
  79. ↑ ID System Designed as NCR 270 Upgrade. https://books.google.com/books?id=fB-Te8d5hO8C&pg=PA49. 
  80. ↑ Four Products for On-Line Transactions Unveiled. https://books.google.com/books?id=3u9H-xL4sZAC&pg=PA3. 
  81. ↑ Rupp, Martin (16 August 2019). "The Benefits of the Atalla Key Block". https://web.archive.org/web/20201017215047/https://content.hsm.utimaco.com/blog/the-benefits-of-atalla-key-block. Retrieved on
    10 September 2019. 
  82. ↑ Automated teller machines: their history and authentication protocols. 1 April 2016. https://slideheaven.com/automated-teller-machines-their-history-and-authentication-protocols.html. Retrieved on
    ۲۲ جولائی ۲۰۱۹. 
  83. ↑ Hamscher, Walter; MacWillson, Alastair; Turner, Paul (1998). "Electronic Business without Fear : The Tristrata Security Architecture". پرائس واٹر ہاؤس کوپرز. https://web.archive.org/web/20190225173603/http://pdfs.semanticscholar.org/6628/269799be00f3f97c15bf1aea2488afbe6c0a.pdf. Retrieved on
    7 October 2019. 
  84. ↑ "Portfolio Overview for Payment & GP HSMs". https://web.archive.org/web/20210721060737/https://hsm.utimaco.com/wp-content/uploads/2018/12/20181206-Utimaco-webinar-Vision-for-Atalla-Portfolio-Overview-Payment-GP-HSMs.pdf. Retrieved on
    22 July 2019. 
  85. ↑ Burkey, Darren (May 2018). "Data Security Overview". Micro Focus. http://www.gtug.de/HotSpot2018/download/Presentation/C108-Burkey.pdf. Retrieved on
    21 August 2019. 
  86. ↑ Lua error in ماڈیول:Citation/CS1/ar at line 3440: attempt to call field 'set_selected_modules' (a nil value).
  87. ↑ "Security guru tackles Net: Father of PIN 'unretires' to launch TriStrata". The Business Journals (American City Business Journals). May 2, 1999. https://www.bizjournals.com/sanfrancisco/stories/1999/05/03/story3.html. Retrieved on
    ۲۳ جولائی ۲۰۱۹. 
  88. ↑ "Tristrata Security: Private Company Information". بلومبرگ ایل۔پی۔. https://www.bloomberg.com/research/stocks/private/snapshot.asp?privcapId=35799. Retrieved on
    23 July 2019. 
  89. ↑ "Security guru tackles Net: Father of PIN 'unretires' to launch TriStrata". The Business Journals (American City Business Journals). May 2, 1999. https://www.bizjournals.com/sanfrancisco/stories/1999/05/03/story3.html. Retrieved on
    ۲۳ جولائی ۲۰۱۹. 
  90. ↑ Lua error in ماڈیول:Citation/CS1/ar at line 3440: attempt to call field 'set_selected_modules' (a nil value).
  91. ↑ Atalla, Martin M.. "Social Security Death Index". http://www.genealogybank.com/gbnk/ssdi/doc/news/12DEC121F60A55D8. Retrieved on
    22 January 2015. 
  92. ↑ Calhoun, Dave; Lustig, Lawrence K. (1976). 1977 Yearbook of science and the future. انسائیکلوپیڈیا بریٹانیکا. p. 418. ISBN 978-0-85229-319-5. Three scientists were named recipients of the Franklin lnstitute's Stuart Ballantine Medal in 1975 […] Martin M. Atalla, president of Atalla Technovations in California, and Dawon Kahng of Bell Laboratories were chosen "for their contributions to semiconductor silicon-silicon dioxide technology, and for the development of the MOS insulated gate, field-effect transistor.  Unknown parameter |url-access= ignored (help)
  93. ↑ "Martin Mohamed Atalla". The Franklin Institute. 14 January 2014. https://www.fi.edu/laureates/martin-mohamed-atalla. Retrieved on
    23 August 2019. 
  94. ↑ "Milestones:List of IEEE Milestones". انسٹی ٹیوٹ برائے الیکٹریکل تے الیکٹرانکس انجینئرز. http://ethw.org/Milestones:List_of_IEEE_Milestones. Retrieved on
    25 July 2019. 
  95. ↑ "Dr. Martin (John) M. Atalla". IT History Society. 21 December 2015. https://www.ithistory.org/honor-roll/dr-martin-john-m-atalla. Retrieved on
    29 July 2019. 
  96. ↑ Lindley, David (15 May 2015). "Focus: Landmarks—Accidental Discovery Leads to Calibration Standard". Physics 8. doi:10.1103/Physics.8.46. 
  97. ↑ Williams, J. B. (2017). The Electronics Revolution: Inventing the Future. Springer. pp. 245 & 249. ISBN 978-3-319-49088-5. 
  98. ↑ Woodall, Jerry M. (2010). Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Springer Science & Business Media. p. 2. ISBN 978-1-4419-1547-4. 
  99. ↑ "Advanced information on the Nobel Prize in Physics 2000". June 2018. https://www.nobelprize.org/uploads/2018/06/advanced-physicsprize2000.pdf. Retrieved on
    17 August 2019. 

باہرلے جوڑ سودھو

سانچہ:HP

"https:https://www.how.com.vn/wiki/index.php?lang=pnb&q=محمد_محمد_عطااللہ&oldid=639123" توں لیا
🔥 Top keywords: پہلا صفہغزوہ احدہندوستانی صوبائی انتخابات، 1937ءگوگلمیری انطونیااسماء اللہ الحسنیٰاسلامی کیلنڈردوجی وڈی لڑائیمیا خلیفہk3zvjn48hucubghحضرت امیر حمزہ رضی اللہ عنہتحریک خلافتغزوہ خندقلنمیلان1433ماسکو871یوروپير مہر علی شاہمخدوم بلاولاللهوکیپیڈیاخاص:Searchگورنمنٹ آف انڈیا ایکٹ 1935جنگ آزادی 1857 دے لُکے پہلواردوبوآ:اج کل دے واقعےوکیپیڈیا:بیٹھکگٹھ:مضامین جنہاں وچ اردو بولی دا متن شامل اےسبع طوالانڈونیشیالسٹ قومی جانوراکبر دا مقبرہہیر رانجھاواحد جمعفتح مکہ