Proses 14 nm

" Proses 14 nanometer" mengacu pada istilah pemasaran untuk node teknologi MOSFET yang merupakan penerus node "22 nm" (atau "20 nm"). "14 nm" dinamakan demikian oleh International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Hingga sekitar tahun 2011, simpul yang mengikuti "22 nm" diharapkan menjadi "16 nm". Semua node "14 nm" menggunakan teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar.^{[1][2][3][4][5]}

Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "14nm" adalah empat belas nanometer. Misalnya, proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor , dan proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan Proses "10 nm" Intel.^[6]

Samsung Electronics meluncurkan chip "14 nm" pada tahun 2014, sebelum memproduksi chip flash NAND "kelas 10 nm" pada tahun 2013. Pada tahun yang sama, SK Hynix memulai produksi massal "16 nm" NAND flash , dan TSMC memulai produksi FinFET "16 nm". Tahun berikutnya, Intel mulai mengirimkan perangkat skala "14 nm" ke konsumen.